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AUIRF1404ZSTRR

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  • 封裝
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  • AUIRF1404ZSTRR
    AUIRF1404ZSTRR

    AUIRF1404ZSTRR

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 790

  • IR

  • TO-263

  • 1034+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • AUIRF1404ZSTRR
    AUIRF1404ZSTRR

    AUIRF1404ZSTRR

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • IR

  • TO-263

  • 10+

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

  • AUIRF1404ZSTRR 貼片三極管
    AUIRF1404ZSTRR 貼片三極管

    AUIRF1404ZSTRR 貼片三極管

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • IR

  • TO-263

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
AUIRF1404ZSTRR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF1404ZSTRR 技術參數(shù)
  • AUIRF1404ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK（TO-263AB） 標準包裝:1 AUIRF1404ZS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1404ZL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRF1404Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF1404STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 95A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7360pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P AUIRF2804WL AUIRF2805 AUIRF2805S AUIRF2807 AUIRF2903Z AUIRF2903ZL AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS
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