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APT35GN120S

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  • APT35GN120SG
    APT35GN120SG

    APT35GN120SG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 597

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT35GN120SG
    APT35GN120SG

    APT35GN120SG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話(huà)：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT35GN120SG
    APT35GN120SG

    APT35GN120SG

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話(huà)：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9000

  • 英飛凌

  • SOP

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱(chēng)
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology
APT35GN120S 技術(shù)參數(shù)
  • APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 開(kāi)關(guān)能量:2.315mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:24ns/300ns 測(cè)試條件:800V，35A，2.2 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 開(kāi)關(guān)能量:2.315mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:24ns/300ns 測(cè)試條件:800V，35A，2.2 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開(kāi)關(guān)能量:642μJ（開(kāi)），382μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/104ns 測(cè)試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開(kāi)關(guān)能量:642μJ（開(kāi)），382μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/104ns 測(cè)試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:單相 電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:35A 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG
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