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2SK808A

2SK808A
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
TO-220
04/03+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2SK808A
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
松下
TO-3P
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SK808A
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
MAT
TO-220
22+
-
十年配單，只做原裝

2SK808A
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20000
MAT
TO-220
2024+
-
頂級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

2SK808A
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6800
T
TO-220F
2015+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

2SK808A
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
原廠
TO-220F
17+
-
★專注專業(yè)，誠(chéng)信為本，品質(zhì)第一，共創(chuàng)雙贏...

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制造商
PANASONIC
制造商全稱
Panasonic Semiconductor
功能描述
Silicon N-channel Power F-MOS FET

2SK808A 技術(shù)參數(shù)

2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12