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    2SK772-F

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    • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
      北京元坤偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 3000

    • 原廠!

    • 原裝!

    • 07+

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    • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

    • 2SK772-F
      2SK772-F

      2SK772-F

    • 深圳市華芯盛世科技有限公司
      深圳市華芯盛世科技有限公司

      聯(lián)系人:唐先生

      電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

      地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

    • 8650000

    • SANYO

    • TO-92S

    • 最新批號

    • -
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    • 2SK772-F
      2SK772-F

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    • 深圳市柏新電子科技有限公司
      深圳市柏新電子科技有限公司

      聯(lián)系人:林小姐//方先生

      電話:0755-88377780010-58488628

      地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

    • 450

    • SANYO盒排

    • TO-92

    • 2012+

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    • 只做原裝正品

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    • 1
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    2SK772-F 技術(shù)參數(shù)
    • 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12
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