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2SK4145-S19-AY

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  • 2SK4145-S19-AY
    2SK4145-S19-AY

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 58195

  • Renesas

  • N/A

  • 19+

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  • 瑞智芯只做原裝

  • 2SK4145-S19-AY
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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 2300

  • RENESAS

  • TO-220

  • 12+

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  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • 2SK4145-S19-AY
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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9000

  • POWER

  • NA

  • 19+

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  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 2SK4145-S19-AY
    2SK4145-S19-AY

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Renesas

  • 原封裝

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  • 一級代理,原裝正品現(xiàn)貨!

  • 2SK4145-S19-AY
    2SK4145-S19-AY

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10080

  • NEC

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 絕對裝原現(xiàn)貨

  • 2SK4145-S19-AY
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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 11639

  • RENESAS

  • 23+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

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2SK4145-S19-AY 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):720 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):610 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標準包裝:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):610 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):430 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標準包裝:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):430 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V
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