2SK3115-S17-AZ/JK 技術(shù)參數(shù)
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2SK3079ATE12LQ
功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:13.5dB 電壓 - 測(cè)試:4.5V 額定電流:3A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:50mA 功率 - 輸出:33.5dBmW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-271AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SK3078A(TE12L,F)
功能描述:FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:8dB 電壓 - 測(cè)試:4.5V 額定電流:500mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:50mA 功率 - 輸出:28dBm 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SK3075(TE12L,Q)
功能描述:MOSF RF N CH 30V 5A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:520MHz 增益:11.7dB 電壓 - 測(cè)試:9.6V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:50mA 功率 - 輸出:7.5W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-271AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SK3074TE12LF
功能描述:MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:520MHz 增益:14.9dB 電壓 - 測(cè)試:9.6V 額定電流:1A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:50mA 功率 - 輸出:630mW 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SK3068(TE24L,Q)
功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
2SK3318
2SK3320-BL(TE85L,F
2SK3320-GR(TE85L,F
2SK3320-Y(TE85L,F)
2SK3342(TE16L1,NQ)
2SK33720RL
2SK33720SL
2SK33720TL
2SK33720UL
2SK3372GRL
2SK3372GSL
2SK3372GTL
2SK3372GUL
2SK3388(TE24L,Q)
2SK3403(Q)
2SK34260TL
2SK3430-AZ
2SK3430-Z-E1-AZ
