2SJ438(CANO,Q,M)

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功能描述
MOSFET P-CH
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
*
包裝
散裝
零件狀態(tài)
停產
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220NIS
封裝/外殼
TO-220-3 整包
標準包裝
1

2SJ438(CANO,Q,M) 技術參數(shù)

2SJ438(CANO,A,Q) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標準包裝:1 2SJ438(AISIN,Q,M) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標準包裝:1 2SJ438(AISIN,A,Q) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標準包裝:1 2SJ380(F) 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SJ377(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL