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2N6901

配單專家企業(yè)名單
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  • 2N6901-1
    2N6901-1

    2N6901-1

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD535DH

  • AD741JH

  • 21+

  • -
  • ALTERA.XILINX代理指定授權(quán)分...

  • 2N6901-1
    2N6901-1

    2N6901-1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • HAR

  • CAN

  • 07+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 2N6901
    2N6901

    2N6901

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON/ST

  • 金封管

  • 2011

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N6901
    2N6901

    2N6901

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9800

  • HAR

  • CAN 3

  • 18+

  • -
  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝現(xiàn)貨

  • 2N6901
    2N6901

    2N6901

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9331

  • HARRIS

  • CAN

  • 12+

  • -
  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 100V 1.69A 3-Pin TO-39
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 2N6901 - Bulk
2N6901 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 4.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-204AA(TO-3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG
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