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1N5805

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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

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    電話(huà):0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)振興路上步商務(wù)中心大廈205棟5A10

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 62399

  • Microchip Technology

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優(yōu)勢(shì)代理,公司現(xiàn)貨可開(kāi)票

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 125V 2.5A 2PIN D-5A - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG
  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • DO-204AP 2.5 Amp Rectifier
1N5805 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5804 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5803 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5802US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5802 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R
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