IXDD609PI

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功能描述
IC GATE DVR 9A NON-INV 8-DIP
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
95
系列
-
配置
高端和低端，獨(dú)立
輸入類型
非反相
延遲時間
160ns
電流 - 峰
290mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）
600V
電源電壓
10 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOIC
包裝
管件
產(chǎn)品目錄頁面
1381 (CN2011-ZH PDF)

IXDD609PI 技術(shù)參數(shù)

IXDD609D2TR 功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube IXDD609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A DUAL HS TO220-5 RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD604SITR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD604SIATR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD604SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD614SITR IXDD614YI IXDD630CI IXDD630MCI IXDD630MYI IXDD630YI IXDE504D2 IXDE504D2T/R IXDE504PI IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R