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IRFB3207PBF

IRFB3207PBF
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
47489
IR
TO-220AB
07+
-
現(xiàn)貨庫存Q

IRFB3207PBF
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
IR
TO-220AB
17+
-
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢供應

IRFB3207PBF
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9800
IR
TO-220
18+
-
優(yōu)勢庫存，原裝現(xiàn)貨

IRFB3207PBF
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
40000
IR
TO-220AB
18+
-
專注原裝,有貨

IRFB3207PBF
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
50
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TO-220
2012+
-
只做原裝正品。

IRFB3207PBF
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
10
INFINEON
C72-晶體管
-

IRFB3207PBF
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
33000
IR
TO-220AB
14+
-
進口原裝現(xiàn)貨，假一罰十進口原裝可開增值稅...

IRFB3207PBF
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
9885
TO220
14+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

IRFB3207PBF
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
0
IR
TO220
原裝正品
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

IRFB3207PBF
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9060
IR
11+
TO-220
-
進口原裝現(xiàn)貨

IRFB3207PBF
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
9000
IR
TO-220
18+
-
原裝正品，品質(zhì)保證

IRFB3207PBF
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺
180
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TO-220
13+
-
100%公司原裝現(xiàn)貨只做原裝 1366...

IRFB3207PBF
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯(lián)系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區(qū)華強廣場二樓Q2B046
80000
IR
TO220
2014+
-
New and original

IRFB3207PBF
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
500
IR
TO-220
12+
-
絕對進口原裝可北京深圳交貨

IRFB3207PBF
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
50
INFINEON APAC (CHINA)
主營優(yōu)勢
1827
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

IRFB3207PBF 技術參數(shù)

IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRFB33N15D IRFB33N15DPBF IRFB3407ZPBF IRFB3507 IRFB3507PBF IRFB3607GPBF IRFB3607PBF IRFB3806PBF IRFB38N20DPBF IRFB4019PBF IRFB4020PBF IRFB4110GPBF IRFB4110PBF IRFB4115GPBF IRFB4115PBF IRFB4127PBF IRFB4137PBF IRFB41N15D