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IRF7351TRPBF
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3190
Infineon
SOP-8
2212+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
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聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4149
IR
SOP-8
2224+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
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聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9060
IR
12+
SOP-8
-
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

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北京力通科信電子有限公司
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聯(lián)系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)
700
INFINEON
SMD
19+
-
進(jìn)口原裝公司現(xiàn)貨庫(kù)存

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深圳市科宏特電子有限公司
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聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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深圳市品業(yè)電子有限公司
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聯(lián)系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強(qiáng)街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
50432
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SOP8
咨詢
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庫(kù)存每天變動(dòng)，最好QQ咨詢

IRF7351
甄芯網(wǎng)
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聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
80
IR
SOP-8
12+ROHS
-
長(zhǎng)期供應(yīng)市場(chǎng)超低價(jià)

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科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
4000
INFINEON APAC (CHINA)
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
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IRF7351 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

IRF7351 技術(shù)參數(shù)

IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF7379 IRF7379PBF IRF7379QTRPBF IRF7379TR IRF7379TRPBF IRF737LC IRF737LCL IRF737LCPBF IRF737LCS IRF737LCSTRL IRF737LCSTRR IRF7380PBF IRF7380QTRPBF IRF7380TRPBF IRF7389 IRF7389PBF IRF7389TR IRF7389TRPBF