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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 52/64頁 |
| 文件大小： | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
52
Initialization sequence:
When 200
μ
s or more has past after the above power-up sequence, all banks must
be precharged using the precharge command (PALL). After t
RP
delay, set 8 or more auto refresh commands
(REF). Set the mode register set command (MRS) to initialize the mode register. We recommend that by
keeping DQMB to High, the output buffer becomes High-Z during Initialization sequence, to avoid DQ bus
contention on memory system formed with a number of device.
Stabilization time:
The PLL requires a stabilization time to achieve phase lock of the feedback signal to the
reference signal. This stabilization time is required following power-up. So this SDRAM module needs
dammy cycle for 50
μ
s after power-up.
V
CC
Power up sequence
Initialization sequence
100
μ
s
0 V
Low
Low
Low
CKE, DQMB
CK
S
, DQ
200
μ
s
Power stabilize
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PDF描述 |
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