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IS42VM16200D-6BLI

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  • IS42VM16200D-6BLI
    IS42VM16200D-6BLI

    IS42VM16200D-6BLI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖先生

    電話:13612973190

    地址:廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室

  • 9000

  • ISSI

  • 54-TFBGA

  • 22+

  • -
  • 原廠渠道,現(xiàn)貨配單

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  • 1
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IS42VM16200D-6BLI 技術(shù)參數(shù)
  • IS42VM16160K-75BLI 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(16M x 16) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:54-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:54-TFBGA(8x8) 標準包裝:348 IS42VM16160E-75BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M, 1.8V, Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器,16Mx16,133Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS42VM16160E-75BLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M, 1.8V, Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器,16Mx16,133Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS42VM16160E-6BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS42VM16160E-6BLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS42VM16320E-75BLI IS42VM16320E-75BLI-TR IS42VM16400K-6BLI IS42VM16400K-6BLI-TR IS42VM16400K-75BLI IS42VM16400K-75BLI-TR IS42VM16400M-6BLI IS42VM16400M-6BLI-TR IS42VM16400M-75BLI IS42VM16400M-75BLI-TR IS42VM16800E-75BLI IS42VM16800E-75BLI-TR IS42VM16800G-6BL IS42VM16800G-6BLI IS42VM16800G-6BLI-TR IS42VM16800G-6BL-TR IS42VM16800G-75BLI IS42VM16800G-75BLI-TR
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