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IRF6619TRPBF

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 深圳市煌盛達科技有限公司
    深圳市煌盛達科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13823538694

    地址:平湖華南城華利嘉

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • INTERNATIONAL RECTIFIER

  • 原廠原封裝

  • 20+

  • -
  • 原裝庫存,全新進口,可電13689551...

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • IR

  • DIREFET

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • IR

  • QFN

  • 假一賠十!

  • -
  • 原裝自己現(xiàn)貨!!

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IR

  • 7+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • IR

  • QFN

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • IRF6619TRPBF
    IRF6619TRPBF

    IRF6619TRPBF

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共39條 
  • 1
IRF6619TRPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
IRF6619TRPBF 技術參數(shù)
  • IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 IRF6623TR1 IRF6623TR1PBF IRF6623TRPBF IRF6626 IRF6626TR1 IRF6626TR1PBF IRF6626TRPBF IRF6628TR1PBF IRF6628TRPBF IRF6629TR1PBF IRF6629TRPBF IRF6631TR1PBF IRF6631TRPBF IRF6633ATR1PBF IRF6633ATRPBF IRF6633TR1 IRF6633TR1PBF IRF6633TRPBF
配單專家

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