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深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
256
Microchip Technology
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務(wù)您！

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Microchip Technology
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
百分百原裝假一罰十

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
MICROCHIP
NA
23+
-
傳感器評估板

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深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8000
Mrochip
Analog
16+
-
只做原裝，假一賠十

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深圳市湘達(dá)電子有限公司
深圳市湘達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
8000
MICROCHIP/微芯
Analog
21+
-
百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價格有優(yōu)勢。

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功能描述
磁傳感器開發(fā)工具 Magnetic Field Noise Brd
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
工具用于評估
接口類型
工作電壓

HFIELDEV 技術(shù)參數(shù)

HFI-201209-R15J 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:150nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:13 @ 50MHz 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-R10J 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI-201209 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:100nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:18 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:600MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-3N9J 功能描述:3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層材料 - 磁芯:陶瓷電感:3.9nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:12 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬（2.00mm x 1.20mm）高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-2N2S 功能描述:2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:2.2nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-1N8S 功能描述:1.8nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:1.8nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFMD18105 HFMD1884 HFMD1885 HFMD20105 HFMD20106 HFMD2085 HFMD2086 HFMD2088 HFMD22105 HFMD2286 HFMDT18164 HFMDT18165 HFMDT18184 HFMDT18185 HFMDT18186 HFMDT20165 HFMDT20166 HFMDT20168