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GP1S092HCPI

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
GP1S092HCPI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD
  • RoHS
  • 類別
  • 傳感器,轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出
  • 系列
  • -
  • 產品變化通告
  • Internal Chip Change 04/May/2007
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • -
  • 檢測距離
  • 0.063"(1.6mm)
  • 檢測方法
  • 可傳導的
  • 輸出配置
  • 光電晶體管
  • 電流 - DC 正向(If)
  • 50mA
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 20mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 35V
  • 響應時間
  • 35µs,35µs
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • PCB 安裝
  • 包裝
  • 管件
  • 類型
  • 無放大
  • 工作溫度
  • -25°C ~ 85°C
  • 其它名稱
  • 425-1978-5
GP1S092HCPI 技術參數
  • GP1S036HEZ 功能描述:SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 工作角度:- 輸出類型:2 相 安裝類型:通孔,直形 工作溫度:-25°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- 電流 - 輸出:20mA 封裝/外殼:PCB 安裝 標準包裝:50 GP1M023A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3391pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1M018A020PG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 9A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:1 GP1M018A020HG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 9A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP1S173LCS2F GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1 GP1S44S1J00F GP1S51V
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