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GP1M003A090C

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  • GP1M003A090C
    GP1M003A090C

    GP1M003A090C

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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    GP1M003A090C

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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GP1M003A090C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
  • 制造商
  • global power technologies group
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 2.5A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 5.1 歐姆 @ 1.25A， 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 748pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 94W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-Pak
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
GP1M003A090C 技術(shù)參數(shù)
  • GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1L57 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 感應(yīng)距離:0.394"（10mm） 感應(yīng)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電達(dá)林頓管 電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應(yīng)時(shí)間:130μs，100μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 類(lèi)型:無(wú)放大 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 GP1L53V 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 感應(yīng)距離:0.197"（5mm） 感應(yīng)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電達(dá)林頓管 電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應(yīng)時(shí)間:80μs，70μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 類(lèi)型:無(wú)放大 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 GP1M005A050HS GP1M005A050PH GP1M006A065CH GP1M006A065F GP1M006A065FH GP1M006A065PH GP1M006A070F GP1M006A070FH GP1M007A065CG GP1M007A090FH GP1M007A090H GP1M008A025CG GP1M008A025FG GP1M008A025HG GP1M008A025PG GP1M008A050CG GP1M008A050FG GP1M008A050HG
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