FW5012-760

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
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廠商
封裝
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價格
說明
操作

FW5012-760
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Inventus Power
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

FW5012-760
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Inventus Power
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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功能描述
插入式交流適配器 50 Watts 12V
RoHS
否
制造商
Phihong
地區(qū)
Universal
安裝風(fēng)格
Wall, Interchangeable Plug
輸入電壓范圍
90 VAC to 264 VAC
輸出端數(shù)量
1
輸出功率額定值
5 W
輸出電壓（通道 1）
5 V
輸出電流（通道 1）
1 A
直流輸出連接器
USB Type A
隨附/必需的交流插頭
Required
商用/醫(yī)用
Commercial
效率
Level V

FW5012-760 技術(shù)參數(shù)

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，F(xiàn)W，CII 包裝:散裝零件狀態(tài):在售繼電器類型:通用線圈類型:無鎖存線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型）額定接觸（電流）:2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱導(dǎo)通電壓（最大值）:13 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時間:6ms 釋放時間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝端子類型:焊接鉤觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW50A33R0JA FW50A47R0JA FW50A4R70JA FW50A5R10JA FW50A68R0JA FW50A6R80JA FW50A82R0JA FW5200002Z FW520WFMT1 FW5A1101G00 FW5A11145G01 FW5A1196S11 FW5A1201G00 FW5A1220D00 FW5A1220G00 FW5A1296S02 FW6012-D5F FW6024-D5F