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ECJ-1VC1H821J

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • ECJ-1VC1H821J
    ECJ-1VC1H821J

    ECJ-1VC1H821J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
ECJ-1VC1H821J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 電容器 >> 陶瓷
  • 系列
  • ECJ
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 4,000
  • 系列
  • -
  • 電容
  • 1000pF
  • 電壓 - 額定
  • 50V
  • 容差
  • ±10%
  • 溫度系數(shù)
  • X7R
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 125°C
  • 應(yīng)用
  • 自動(dòng)
  • 額定值
  • AEC-Q200
  • 封裝/外殼
  • 0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸
  • 0.079" L x 0.047" W(2.00mm x 1.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)
  • -
  • 厚度(最大)
  • -
  • 引線間隔
  • -
  • 特點(diǎn)
  • -
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 引線型
  • -
ECJ-1VC1H821J 技術(shù)參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長(zhǎng)度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-1VF1A225Z ECJ-1VF1A684Z ECJ-1VF1C104Z ECJ-1VF1C105Z ECJ-1VF1C154Z ECJ-1VF1C224Z ECJ-1VF1C334Z ECJ-1VF1C474Z ECJ-1VF1E104Z ECJ-1VF1E105Z ECJ-1VF1E683Z ECJ-1VF1H103Z ECJ-1VF1H104Z ECJ-1VF1H153Z ECJ-1VF1H223Z ECJ-1VF1H333Z ECJ-1VF1H473Z ECJ-1VF1H683Z
配單專(zhuān)家

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