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ECH-S1H333JZ

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封裝
批號
價格
說明
操作

ECH-S1H333JZ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Panasonic Electronic Comp
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

ECH-S1H333JZ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2900
Panasonic
ROHS
1315+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

ECH-S1H333JZ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
2850
Panasonic
ROHS
201333
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

1/1頁 40條/頁共4條
1

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ECH-S1H333JZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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ECH-S1H333JZ 技術參數(shù)

ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH-S1H472JZ ECH-S1H473GZ ECH-S1H473JZ ECH-S1H474GZ ECH-S1H474JZ ECH-S1H562GZ ECH-S1H562JZ ECH-S1H563GZ ECH-S1H563JZ ECH-S1H682GZ ECH-S1H682JZ ECH-S1H683GZ ECH-S1H683JZ ECH-S1H822GZ ECH-S1H822JZ ECH-S1H823GZ ECH-S1H823JZ ECH-U01103GX5

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