EC4726-000

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EC4726-000 技術(shù)參數(shù)

EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:0503（1308 公制）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:4-ECSP1008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售內(nèi)核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無(wú)涂層供應(yīng)商器件封裝:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 長(zhǎng)度:41.60mm 寬度:11.60mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:300 EC350X 功能描述:GDT 350V 15% 5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:EC350X 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - DC 火花放電（標(biāo)稱值）:350V 脈沖放電電流（8/20us）:5000A（5kA）容差:±15% 極數(shù):2 故障短接:無(wú) 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向圓柱形標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 EC35/17/10-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售內(nèi)核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無(wú)涂層供應(yīng)商器件封裝:EC 35 x 17 x 10 高度:17.30mm 長(zhǎng)度:35.30mm 寬度:9.50mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 EC4749-000 EC4761-000 EC4919-000 EC4941-000 EC4942-000 EC4943-000 EC4948-000 EC4951-000 EC4983-000 EC4984-000 EC4985-000 EC4986-000 EC4987-000 EC4988-000 EC4989-000 EC4990-000 EC4991-000 EC4992-000