品牌 | mcc/toshiba | 型號(hào) | m7 |
應(yīng)用范圍 | 整流 | 結(jié)構(gòu) | 平面型 |
材料 | 硅(si) | 封裝形式 | 貼片型 |
封裝材料 | 塑料封裝 | 功率特性 | 中功率 |
頻率特性 | 高頻 | 正向工作電流 | 1(a) |
最高反向電壓 | 1200(v) |
快恢復(fù)二極管frd(fast recovery diode)是近年來(lái)問世的新型半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)特性好,反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管srd (superfast recovery diode),則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,其反向恢復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可廣泛用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(pwm)、不間斷電源(ups)、交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速(vvvf)、高頻加熱等裝置中,作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管,是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。
1.性能特點(diǎn)
(1)反向恢復(fù)時(shí)間
反向恢復(fù)時(shí)間tr的定義是:電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。if為正向電流,irm為最大反向恢復(fù)電流。irr為反向恢復(fù)電流,通常規(guī)定irr=0.1irm。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流i=if。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時(shí)刻,i=0。然后整流器件上流過反向電流ir,并且ir逐漸增大;在t=t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流irm值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。
(2)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在p型、n型硅材料中間增加了基區(qū)i,構(gòu)成p-i-n硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6v,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。
20a 以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用to-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是c 20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是c92-02型(共陰對(duì)管)、mur1680a型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用to-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見表1。
幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用to-3p金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。