| 品牌 | hme | 型號 | ss50 |
| 種類 | 磁敏 | 材料 | 混合物 |
| 材料物理性質(zhì) | 半導(dǎo)體 | 材料晶體結(jié)構(gòu) | 多晶 |
| 工藝 | 薄膜 | 輸出信號 | 模擬型 |
| 防護(hù)等級 | ip68 | 線性度 | 0.01（%f.s.） |
| 遲滯 | 0.1（%f.s.） | 重復(fù)性 | 0.1（%f.s.） |
| 靈敏度 | 23 | 漂移 | 0.001 |
| 分辨率 | 12 |
利用巨磁電阻(gmr)效應(yīng)研究開發(fā)的巨磁電阻(gmr)傳感器芯片,具有體積小、靈敏度高、線性好、線性范圍寬、響應(yīng)頻率高、使用溫度特性好、可靠性高、成本低等特點(diǎn)，是各種傳統(tǒng)傳感器的換代產(chǎn)品。巨磁電阻(gmr)傳感器芯片在國際上的實際應(yīng)用剛剛開始。近兩年來，我公司根據(jù)市場的實際需要，陸續(xù)開發(fā)、了ｈｍ系列ｇｍｒ芯片產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品主要運(yùn)用于磁頭、接近開關(guān)齒輪轉(zhuǎn)速傳感器、電流檢測、磁柵尺、磁編碼器、角度傳感器、電子羅盤及各種弱磁檢測等領(lǐng)域。