兩極晶體管 - BJT MJD117ITU品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

MJD117ITU • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
MJD117ITU Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Darlington 可訂貨
2N4400TA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose 可訂貨
BC239ATA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 可訂貨
KSC2784FTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
2N5550_D28Z Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 可訂貨
2N6517TA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial 可訂貨
KSC2310RTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 可訂貨
BC558C_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP 可訂貨
KSP92H1TA Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT TO-92 可訂貨
MJD117ITU • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Darlington
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO 100 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min 500 at 0.5 A at 3 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 IPAK