MOSFET SISA18DN-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SISA18DN-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
SISA18DN-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4 可訂貨
SISA18DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 30 V
閘/源擊穿電壓 2.4 V
漏極連續(xù)電流 38.3 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.0075 Ohms
配置
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PowerPAK 1212-8
封裝 Reel