MOSFET SIE850DF-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIE850DF-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIE850DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V 可訂貨 2,010:￥13.52
3,000:￥11.45
6,000:￥11.25
SIE850DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 30 V
閘/源擊穿電壓 +/- 12 V
漏極連續(xù)電流 35 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 2.5 mOhms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PolarPAK-10
封裝 Reel