分離式半導體產品 SI3586DV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI3586DV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 695 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI3586DV-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.9A,2.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 830mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 剪切帶 (CT)