分離式半導體產(chǎn)品 SI5908DC-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI5908DC-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8 0 3,000:$0.56000
6,000:$0.53200
15,000:$0.51000
30,000:$0.49600
75,000:$0.48000
SI5908DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 N 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫歐 @ 4.4A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 帶卷 (TR)