| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 0 | 3,000:$0.59500 6,000:$0.56500 15,000:$0.54400 30,000:$0.52700 75,000:$0.51000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4.5A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 39 毫歐 @ 2A，8V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 585pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 12-UFBGA，DSBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 12-DSBGA（2.43x1.96） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |