分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BFG 19S E6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
BFG 19S E6327 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| BFG 19S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 |
0 |
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| BFG 196 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 |
0 |
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| BFG 193 E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 |
0 |
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| BF 799W E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323 |
0 |
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| BF 775 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 |
0 |
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| BF 770A E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 |
0 |
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| BFG 135A E6327 |
Infineon Technologies |
TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223 |
0 |
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BFG 19S E6327 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
15V
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| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
5.5GHz
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| 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）: |
2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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| 增益: |
14dB ~ 8.5dB
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| 功率 - 最大: |
1W
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| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): |
70 @ 70mA，8V
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
210mA
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-261-4，TO-261AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT223-4
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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