半導(dǎo)體模塊 APTGT200H120G品牌、價格、PDF參數(shù)

APTGT200H120G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
APTGT200H120G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 0 10:$248.18400
APTGT400A120D3G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 0 10:$261.86500
APTGT150H170G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 0 10:$262.48800
APTGT200H120G • PDF參數(shù)
類別: 半導(dǎo)體模塊
IGBT 類型: 溝道和場截止
配置: 全橋反相器
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 1200V
Vge, Ic時的最大Vce(開): 2.1V @ 15V,200A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 280A
電流 - 集電極截止(最大): 350µA
Vce 時的輸入電容 (Cies): 14nF @ 25V
功率 - 最大: 890W
輸入: 標(biāo)準
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SP6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SP6