分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD088N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD088N06N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD088N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 2,500 2,500:$0.52906
5,000:$0.50261
12,500:$0.48182
25,000:$0.46860
62,500:$0.45348
BSZ0904NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 5,000 5,000:$0.52735
10,000:$0.50554
25,000:$0.49166
50,000:$0.47580
IPD088N06N3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.8 毫歐 @ 50A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 34µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 30V
功率 - 最大: 71W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)