分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHP12N60E-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIHP12N60E-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIHP12N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB 983 1:$2.70000
25:$2.17520
100:$1.95750
250:$1.74000
500:$1.52250
1,000:$1.26150
2,500:$1.17450
5,000:$1.13100
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 14,878 1:$0.56000
25:$0.38880
100:$0.33330
250:$0.28784
500:$0.24746
1,000:$0.19190
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 12,000 3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SIHP12N60E-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 380 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 937pF @ 100V
功率 - 最大: 147W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 散裝