分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR826DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)
SIR826DP-T1-GE3 品牌、價格
元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
SIR826DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
0 |
3,000:$1.28250
6,000:$1.23500
15,000:$1.18750
30,000:$1.16375
75,000:$1.14000
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SIE822DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
750 |
1:$3.33000
25:$2.56520
100:$2.32750
250:$2.09000
500:$1.80500
1,000:$1.52000
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SIR826DP-T1-GE3 PDF參數(shù)
類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點: |
邏輯電平門
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漏極至源極電壓(Vdss): |
80V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
60A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.8 毫歐 @ 20A,10V
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Id 時的 Vgs(th)(最大): |
2.8V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
90nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2900pF @ 40V
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功率 - 最大: |
104W
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8
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包裝: |
帶卷 (TR)
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