分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPS110N12N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPS110N12N3 G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPS110N12N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
0 |
|
| BSS816NW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
0 |
|
IPS110N12N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
120V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
75A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11 毫歐 @ 75A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 83µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
65nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
4310pF @ 60V
|
| 功率 - 最大: |
136W
|
| 安裝類型: |
通孔
|
| 封裝/外殼: |
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO251-3
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|