分離式半導體產(chǎn)品 BSS308PE H6327品牌、價格、PDF參數(shù)

BSS308PE H6327 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSS308PE H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23 11,815 1:$0.60000
10:$0.42200
25:$0.34920
100:$0.28150
250:$0.20268
500:$0.16328
1,000:$0.12668
BSS308PE H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23 9,000 3,000:$0.10134
6,000:$0.09571
15,000:$0.08727
30,000:$0.08164
75,000:$0.07319
150,000:$0.07038
BSZ900N20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 9,672 1:$2.28000
10:$1.95800
25:$1.76240
100:$1.59910
250:$1.43596
500:$1.24014
1,000:$1.04432
2,500:$0.94642
BSS308PE H6327 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝: PG-SOT23-3
包裝: 剪切帶 (CT)