分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ060NE2LS品牌、價格、PDF參數(shù)

BSZ060NE2LS • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSZ060NE2LS Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 9,978 1:$1.20000
10:$1.07300
25:$0.94720
100:$0.85240
250:$0.74188
500:$0.66298
1,000:$0.52091
2,500:$0.48934
BSZ060NE2LS Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.41988
10,000:$0.40252
25,000:$0.39147
50,000:$0.37884
IPB023N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 1,000 1,000:$1.40000
2,000:$1.33000
5,000:$1.27500
10,000:$1.24000
25,000:$1.20000
BSZ060NE2LS • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 12V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝: 剪切帶 (CT)