| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 2,500 | 2,500:$1.00184 5,000:$0.96473 12,500:$0.92762 25,000:$0.90907 62,500:$0.89052 |
| BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | 9,638 | 1:$2.59000 10:$2.22000 25:$1.99760 100:$1.81280 250:$1.62780 500:$1.40582 1,000:$1.18384 2,500:$1.07286 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 100A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.4 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 93µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 11000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 167W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |