元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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IPP320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 | 166 | 1:$3.11000 10:$2.77800 25:$2.50040 100:$2.27820 250:$2.05592 500:$1.84476 1,000:$1.55582 2,500:$1.47803 5,000:$1.41691 |
IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | 1,695 | 1:$6.58000 10:$5.92300 25:$5.37440 100:$4.82590 250:$4.38720 500:$3.83880 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 34A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 32 毫歐 @ 34A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 90µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2350pF @ 100V |
功率 - 最大: | 136W |
安裝類型: | 通孔 |
封裝/外殼: | TO-220-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
包裝: | 管件 |