分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP076N12N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPP076N12N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPP076N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 461 1:$3.06000
10:$2.73600
25:$2.46200
100:$2.24330
250:$2.02444
500:$1.81654
1,000:$1.53202
2,500:$1.45542
5,000:$1.39523
IPP076N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.6 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 130µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 101nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6640pF @ 60V
功率 - 最大: 188W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件