分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSB165N15NZ3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSB165N15NZ3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 5,000 5,000:$1.96439
10,000:$1.91047
25,000:$1.84884
BSB165N15NZ3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 45A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 16.5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 110µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 75V
功率 - 最大: 78W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-WDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝: MG-WDSON-2，CanPAK M?
包裝: 帶卷 (TR)