元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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IPA65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 450 | 1:$5.21000 10:$4.64900 25:$4.18360 100:$3.81180 250:$3.43988 500:$3.08660 1,000:$2.60316 2,500:$2.47300 5,000:$2.37074 |
IPP65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 473 | 1:$5.21000 10:$4.64900 25:$4.18360 100:$3.81180 250:$3.43988 500:$3.08660 1,000:$2.60316 2,500:$2.47300 5,000:$2.37074 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 17.5A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫歐 @ 7.3A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 4.5V @ 730µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
功率 - 最大: | 34W |
安裝類型: | 通孔 |
封裝/外殼: | TO-220-3 整包 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220 整包 |
包裝: | 管件 |