| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 | 769 | 1:$6.94000 10:$6.20000 25:$5.58000 100:$5.08400 250:$4.58800 500:$4.11680 1,000:$3.47200 2,500:$3.29840 5,000:$3.16200 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 120V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.1 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |