分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NP88N03KDG-E1-AY品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NP88N03KDG-E1-AY • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 800 800:$1.65000
1,600:$1.54000
2,400:$1.46300
5,600:$1.40250
20,000:$1.36400
40,000:$1.32000
NP88N03KDG-E1-AY • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 88A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.4 毫歐 @ 44A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 帶卷 (TR)