分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN1R6-30PL,127品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PSMN1R6-30PL,127 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PSMN1R6-30PL,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 902 1:$2.92000
10:$2.63500
25:$2.35240
100:$2.11730
250:$1.88200
500:$1.64676
1,000:$1.36445
2,500:$1.27035
5,000:$1.22330
PSMN1R6-30PL,127 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫歐 @ 25A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 212nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 12493pF @ 12V
功率 - 最大: 306W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件