分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN013-30LL,115品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PSMN013-30LL,115 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PSMN013-30LL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V QFN3333 1,386 1:$0.85000
10:$0.74400
25:$0.65760
100:$0.57300
250:$0.49876
500:$0.42456
PSMN6R0-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK 2,654 1:$0.78000
10:$0.67900
25:$0.60040
100:$0.52320
250:$0.45544
500:$0.38770
PSMN6R0-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK 1,500 1,500:$0.30112
3,000:$0.27289
7,500:$0.25407
10,500:$0.24466
37,500:$0.23525
75,000:$0.23149
150,000:$0.22584
PSMN013-30LL,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫歐 @ 5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 768pF @ 15V
功率 - 最大: 41W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-QFN(3.3x3.3)
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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