分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHP5N50D-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHP5N50D-E3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIHP5N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB 46 1:$1.49000
25:$1.17800
100:$1.06030
250:$0.92284
500:$0.82468
SI7421DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.58800
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 100 1:$1.18000
25:$0.93000
100:$0.83700
250:$0.72852
500:$0.65100
1,000:$0.51150
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 0 3,000:$0.43400
6,000:$0.41230
15,000:$0.39525
30,000:$0.38440
75,000:$0.37200
SIJ800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L 0 3,000:$0.43400
SIHP5N50D-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 剪切帶 (CT)