分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7382DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI7382DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI7382DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.60340
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| SI7328DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
0 |
3,000:$0.60340
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| SI6466ADQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP |
0 |
3,000:$0.60340
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| SI4483EDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
2,500:$0.60340
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SI7382DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
14A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.7 毫歐 @ 24A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
40nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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