分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIE878DF-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIE878DF-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V POLARPAK 0 1:$1.80000
25:$1.39040
100:$1.26180
250:$1.13300
500:$0.97850
1,000:$0.82400
SIE878DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 45A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.2 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12.5V
功率 - 最大: 25W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?(L)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?(L)
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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